-
Mataas na Kadalisayan na Alumina Ceramic Robot Arm para sa Paghawak ng Wafer
Ang alumina ceramic robot arm ng St.Cera ay ginawa gamit ang precision engineered na materyales mula sa 99.8% high-purity Al₂O₃ (alumina). Pinagsasama nito ang pambihirang flexural strength (361 MPa), mataas na tigas (16 GPa), at mababang density (3.93 g/cm³), na nagreresulta sa isang magaan ngunit matibay na braso para sa semiconductor wafer transfer. Ang thermal expansion coefficient ng materyal (7.2×10⁻⁶/°C) ay halos kapareho ng silicon, na nagpapaliit sa thermal mismatch habang pinoproseso.
-
Bernoulli Ceramic End Effector — Non-Contact Wafer Handling para sa Manipis at Marupok na mga Wafer
Ang Bernoulli ceramic end effector ng St.Cera ay gumagamit ng aerodynamic lift upang hawakan ang mga wafer nang walang pisikal na kontak. Ginawa mula sa mataas na kadalisayan na 99.8% alumina (Al₂O₃) o silicon carbide (SiC), nagtatampok ito ng mga precision-machined nozzle na naglalabas ng pressurized gas upang lumikha ng manipis na air film sa pagitan ng end effector at ng wafer. Ang non-contact principle na ito ay nag-aalis ng kontaminasyon sa likuran, pagkapira-piraso ng gilid, at pinsala sa ibabaw, kaya mainam ito para sa manipis (≤100 μm), marupok, o baluktot na mga wafer. Ang ceramic substrate ay nagbibigay ng mataas na flexural strength (361 MPa para sa Al₂O₃; hanggang 550–600 MPa para sa SiC), mababang masa, at mahusay na dimensional stability, na tinitiyak ang paulit-ulit na pagpoposisyon sa mga high-speed wafer transfer robot.
-
Teflon Coated Ceramic End Effector – Hindi Dumidikit na Ibabaw para sa Sensitibong Paghawak ng Wafer
Pinagsasama ng Teflon (PTFE) coated ceramic end effector ng St.Cera ang isang high-strength alumina substrate na may pare-pareho at low-friction PTFE coating (kapal na 15–30 μm). Ang coating ay nagbibigay ng napakababang coefficient of friction (≤0.1), mahusay na chemical resistance, at mga non-stick properties, na pumipigil sa pagdikit ng wafer at nag-aalis ng kontaminasyon sa likuran. Ang pinagbabatayang ceramic substrate (99.8% Al₂O₃) ay nag-aalok ng mataas na flexural strength (361–1000 MPa), wear resistance, at thermal stability hanggang 260°C (coating limit). Ang end effector na ito ay mainam para sa paghawak ng mga delikado, manipis, o malagkit na wafer (hal., pagkatapos ng photoresist coating o mga prosesong kemikal).
